ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТОДИОДОВ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ШИРОКОГО ДИАПАЗОНА ТЕМПЕРАТУР

Баринов Илья Николаевич, кандидат технических наук, доцент, кафедра информационно-измерительной техники, Пензенский государственный университет, mzungu@inbox.ru
Волков Вадим Сергеевич, кандидат технических наук, доцент, кафедра приборостроения, Пензенский государственный университет, distorsion@rambler.ru
Евдокимов Сергей Павлович, соискатель, Пензенский государственный университет, mzungu@inbox.ru

621.315.592:546.28

Рассмотрены конструкция, технология изготовления и некоторые результаты исследований чувствительного элемента датчиковой аппаратуры, в качестве которого использован магнитодиод. Приведены результаты испытаний магнитодиода при воздействии криогенных температур. На основе результатов испытаний рассчитаны магнитная чувствительность магнитодиодов и максимально допустимый обратный ток. Результаты исследований подтвердили перспективность использования магнитодиодов для создания датчиков физических величин.

Ключевые слова

магнитодиод, датчик частоты вращения, криогенная температура, результат испытаний.

 Скачать статью в формате PDF

1. Баринов, И. Н. Конструктивно-технологические проблемы обеспечения долговременной стабильности параметров высокотемпературных полупроводниковых тензорезистивных датчиков давлений / И. Н. Баринов, В. С. Волков // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки. – 2011. – Спец. выпуск № 3. – С. 85–95.
2. Волков, В. С. Полупроводниковые датчики давления на основе резонансного преобразователя / В. С. Волков, И. Н. Баринов // Приборы. – 2012. – № 7. – С. 9–13.
3. Нефедьев, Д. И. Датчики динамических давлений для сверхвысоких температур / Д. И. Нефедьев, П. Н. Ефимов, Б. В. Цыпин // Метрология. – 2013. – № 6. – С. 16–21.
4. Дмитриенко, А. Г. Датчики частоты вращения на основе магнитодиода / А. Г. Дмитриенко, А. А. Трофимов // Измерение. Мониторинг. Управление. Контроль. – 2013. – № 2 (4). – С. 38–43.
5. Баринов, И. Н. Конструкция и некоторые результаты исследований магнитодиодов при воздействии температур широкого диапазона / И. Н. Баринов // Компоненты и технологии. − 2009.−№1.−С.18–21.
6. Баринов, И. Н. Конструкция и некоторые результаты исследований магнитодиодов при воздействии температур широкого диапазона / И. Н. Баринов // Гетеромагнитная микроэлектроника. – 2008. – № 5. – С. 55–64.
7. Хомерики, О. К. Полупроводниковые преобразователи магнитного поля / О. К. Хомерики. – М. : Энергоатомиздат, 1986. – 136 с.
8. Бараночников, М. Л. Микромагнитоэлектроника. Т. 1 / М. Л. Бараночников. – М.:ДМК Пресс,2001.– 544 с.
9. Егиазарян, Г. А. Магнитодиоды, магниторезисторы и их применение / Г. А. Егиазарян, В. И. Стафеев. – М. : Радио и связь, 1987. – 88 с.